Dispositivos Optoelectrnicos - PowerPoint PPT Presentation

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Dispositivos Optoelectrnicos

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Juntura p-n que permite penetraci n de luz en la vecindad de la uni n metal rgica ... Anti-reflection coatings on the top surface of the cell. ... – PowerPoint PPT presentation

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Title: Dispositivos Optoelectrnicos


1
Dispositivos Optoelectrónicos
2
Tipos
  • Fotodetectores
  • Detectan cambios de energía fotónica,
    transformándolos en energía eléctrica
  • Celdas solares
  • Transforman energía lumínica en eléctrica
  • LED / Diodos Laser
  • Transforman energía eléctrica en energía lumínica
  • Optoacopladores

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(No Transcript)
4
4.2x1014 Hz
6x1014 Hz
5
(No Transcript)
6
Fotodiodos p-n
  • Juntura p-n que permite penetración de luz en la
    vecindad de la unión metalúrgica
  • Absorción de luz crea pares hueco-electrón

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Fotodiodos p-n
  • Portadores generados en la zona de vaciamiento
    son arrastrados por el E.
  • Tasa de Generación óptica GL
  • Si W menor que la long. Del diodo, IL es
    independiente de la tensión aplicada y
    proporcional a la intensidad de luz

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Respuesta espectral
  • Variación de IL con la longitud de onda de luz
    incidente

Fotones generan pares h-e solo si EphgtEG. Para
Si, EG 1.12 eV, y ?max1.1µm
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Respuesta espectral
  • Variación de IL con la longitud de onda de luz
    incidente
  • Potencia lumínica es cte. Por ende, hay menos
    fotones de mayor energía (lt?)
  • A menor ? la luz penetra menos, y la generación
    se produce lejos de la zona de vaciamiento se
    recombinan antes de llegar allí. Menor I

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Fotodiodos p-n
  • Respuesta Frecuencial
  • Velocidad de respuesta ante cambios de la luz
    incidente
  • Fotodiodo p-n tiene capacidades limitadas
  • Portadores minoritarios deben difundir hasta la
    zona de vaciamiento proceso lento
  • Máxima velocidad decenas de Mhz

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Fotodiodo p-i-n
  • Top semiconductor thin, to minimize absorption
  • i region is depleted
  • Most of the photocurrent is generated in the
    depletion region

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Fotodiodo p-i-n
  • i region can be tailored for specific wavelengths
  • Frequency response is much better than Si diodes
    (most current is generated in the dep. Region)
  • Freq. response about GHz
  • Aplicaciones en fibra óptica requieren ? gt 1.1µm,
    y menores bandgap (In Ga As)

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Fotodiodos de Avalancha
  • Fotodiodos operados cerca del punto de ruptura
    inversa
  • Ganancia en la generación de portadores
  • Multiplicación de avalancha amplifica los
    portadores provocados por la luz

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Fotodiodos
  • Factores Importantes
  • Velocidad de respuesta
  • Eficiencia cuántica
  • relación entre fotones y pares h-e
  • Linealidad
  • Uniformidad espacial
  • Ruido oscuro (dark noise)

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  • Hamamatsu model S2386 silicon photodiode

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(No Transcript)
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Toshiba TPS850
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Celdas Solares
Honda dream, the winning car in the 1996 World
Solar Challenge. The custom made cells for the
car are greater than 20 efficient. (Photograph
PVSRC)
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Celdas Solares
  • Junturas p-n de gran area
  • Design to minimize energy losses
  • Voc open circuit voltage
  • Isc short circuit current
  • Pmax Im Vm

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Celdas solares
  • Medida de desempeño
  • eficiencia de conversión
  • Output from the sun
  • Area beyond ?G is power lost cause it cannot be
    absorbed
  • 20 lost in Si, 35 in GaAs
  • The EphgtEg energy adds kinetic energy (heat)
  • 40 in Si, 30 in GaAs

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Celdas Solares
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Celdas Solares
  • Top contact coverage of the cell surface can be
    minimised (although this may result in increased
    series resistance).
  • Anti-reflection coatings on the top surface of
    the cell.
  • Reflection reduced by surface texturing.
  • The solar cell can be made thicker to increase
    absorption
  • The optical path length may be increased by a
    combination of surface texturing and light
    trapping.

http//www.udel.edu/igert/pvcdrom/index.html
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Celdas Solares
Area 22cm2Efficiency 23.5Voc 703 mVIsc
914mAJsc 41.3mAVmp 600mVFF 0.81Imp 868 mA
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Light Emitting Diode (LED)
  • Definition a semiconductor device that emits
    incoherent narrow-spectrum light when
    electrically biased in the forward direction

Courtesy of Wikipedia http//en.wikipedia.org/wiki
/LED
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Principle
  • Forward bias injects majority carriers in
    opposite regions where they recombine
  • In indirect semiconductor (Si) recombination
    produces heat
  • In direct semiconductors (GaAs) recombination
    occurs from band to band and emits photons

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Principle
  • Three requirements to produce visible LED
  • Direct semiconductor (Si, Ge, GaP, AlAs,SiC,
    excluded)
  • Bandgap between 1.77eV and 3.10eV (GaAs bandgap
    too small)
  • Able to allow pn junction diodes
  • Need for alloys

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LEDs
? Photo power out/electrical power
External quantum efficiency is due to
reflections in the Interface air-semiconductor
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Light Emitting Diode (LED)
  • LED v.s. Incandescent (Edisons lightbulb) and
    Flourescent Bulbs
  • Much longer life span (105 - 106 hrs v.s. 103 /
    104 hrs)
  • Suitable for applications that are subject to
    frequent on-off cycling
  • Efficiency better than incandescent but
    currently worse than flourescent bulbs

Source US Department of Energy
http//www.netl.doe.gov/ssl/faqs.htm
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LEDs for lighting
  • 12 Volt MR16 LED spotlight bulbs
  • Each LED spotlight has 20 ultrabright 15,000mcd
    LEDs producing a similar amount of light to a 20W
    halogen bulb
  • 1 Watt of power!

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LED Efficiency
  • Internal Quantum Efficiency (?int)
  • Definition ratio of the number of electrons
    flowing in the external circuit to the number of
    photons produced within the device
  • Has been improved up to 80
  • External Quantum Efficiency
  • Definition The percentage of photons that can be
    extracted to the ambient.
  • Typically 1 10
  • Limiting factor of LED efficiency
  • Improvement techniques dome-shaped package,
    textured surface, photonic crystal,

Source Lecture Note of Optoelectronic Devices
(by Sheng-fu Horng, Dept. of Electrical Engrg,
NTHU, Hsinchu, Taiwan)
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LED
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Optoacopladores
  • Aislación eléctrica entre dos circuitos.
    Comunicación óptica
  • Típicamente se utilizan haces de luz entre el
    rojo al infrarrojo

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  • Características importantes
  • Tensión de aislación
  • Buena relación de transferencia
  • Baja capacidad de acoplamiento
  • Imnunidad a interferencias

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(No Transcript)
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(No Transcript)
36
(No Transcript)
37
Referencias
  • Robert F. Pierret, Semiconductor Device
    Fundamentals, Addison Wesley, 1996. Capítulos 6,
    9, 14.
  • Stanley G. Burns, Paul R. Bond, Principles of
    Electronic Circuits, PWS Publishing Company,
    1997. Capítulo 3.
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